日本 JFE 半導(dǎo)體晶圓高分辨率膜厚測量儀器 日本 JFE 半導(dǎo)體晶圓高分辨率膜厚測量儀器

產(chǎn)品概述

核心特點(diǎn)

1. 超高分辨率測量，適配圖案化膜層

   設(shè)備空間分辨率可達(dá)約 5μm，能夠清晰呈現(xiàn)晶圓表面圖案化區(qū)域的膜厚分布細(xì)節(jié)，滿足半導(dǎo)體器件中微小結(jié)構(gòu)的膜層均勻性檢測需求。
2. 雙模式測量，兼顧效率與精度

• 局部測量：3mm 方形區(qū)域，約 30 秒完成測量；

• 全晶圓測量：支持 6 英寸晶圓全表面檢測，約 10 分鐘完成數(shù)據(jù)采集與處理；

  20 萬點(diǎn)的測定點(diǎn)數(shù)，可在短時間內(nèi)完成大面積膜厚數(shù)據(jù)的采集與計算。

3. 緊湊臺式設(shè)計，適配實(shí)驗室與研發(fā)場景

   設(shè)備采用可放置于桌面的緊湊型設(shè)計，無需大型機(jī)臺即可部署，適合半導(dǎo)體研發(fā)實(shí)驗室、工藝優(yōu)化場景使用，降低設(shè)備部署門檻與場地要求。
4. 寬量程覆蓋，適配薄膜 / 超薄膜檢測

   測量膜厚范圍為 100nm~10μm，覆蓋半導(dǎo)體工藝中常見的超薄膜層（如光刻膠、SiO?膜、濺射膜等），滿足從研發(fā)到缺陷檢測的全流程應(yīng)用。

規(guī)格參數(shù)

主要應(yīng)用場景

• 半導(dǎo)體晶圓圖案化膜層的膜厚分布測量；

• 光刻膠、SiO?膜、濺射膜等超薄膜層的均勻性檢測；

• 半導(dǎo)體工藝研發(fā)中的膜層缺陷分析與工藝優(yōu)化；

• 6 英寸晶圓的非接觸式質(zhì)量控制檢測。