TAITEC  多氣體培養(yǎng)箱 低氧培養(yǎng)專用設(shè)備 TAITEC  多氣體培養(yǎng)箱 低氧培養(yǎng)專用設(shè)備

1. 產(chǎn)品外觀與結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)

2. 核心性能優(yōu)勢(shì)

• 高精度低氧控制：采用高精度氧化鋯式 O?傳感器，可實(shí)現(xiàn) 1% 起的精準(zhǔn)低氧濃度控制，適配干細(xì)胞、腫瘤細(xì)胞等特殊細(xì)胞的低氧培養(yǎng)需求。

• 低氧助推功能（申請(qǐng)中）：搭載「低氧助推器」，相比傳統(tǒng)產(chǎn)品，達(dá)到 1% O?濃度的時(shí)間縮短約 80%；從大氣環(huán)境（約 20%）降至 5% O?僅需 7 分鐘以內(nèi)，降至 1% O?僅需 15 分鐘以內(nèi)，開門后可快速恢復(fù)并穩(wěn)定低氧環(huán)境，大幅提升實(shí)驗(yàn)效率。

• 多場(chǎng)景培養(yǎng)適配：支持哺乳動(dòng)物貼壁細(xì)胞靜置培養(yǎng)、懸浮細(xì)胞振蕩培養(yǎng)（需搭配另售 CS-LR 模塊），覆蓋主流細(xì)胞培養(yǎng)場(chǎng)景。

• 穩(wěn)定環(huán)境控制：在 CO?濃度控制基礎(chǔ)上，同步實(shí)現(xiàn) O?濃度精準(zhǔn)調(diào)控，為細(xì)胞生長(zhǎng)提供穩(wěn)定、均一的培養(yǎng)環(huán)境，保障實(shí)驗(yàn)重復(fù)性。

3. 材質(zhì)與工藝

4. 型號(hào)與核心參數(shù)

• O?濃度控制范圍：1% ~ 20%（大氣環(huán)境），精度 ±0.1%

• CO?濃度控制：常規(guī)多氣體培養(yǎng)箱標(biāo)準(zhǔn)范圍

• 低氧恢復(fù)速度：20%→5% O? ≤7 分鐘，20%→1% O? ≤15 分鐘

• 適配培養(yǎng)類型：貼壁細(xì)胞靜置培養(yǎng)、懸浮細(xì)胞振蕩培養(yǎng)（需 CS-LR）、干細(xì)胞 / 腫瘤細(xì)胞低氧培養(yǎng)

5. 應(yīng)用場(chǎng)景

• 干細(xì)胞研究：精準(zhǔn)低氧環(huán)境模擬體內(nèi)生理狀態(tài)，支持干細(xì)胞增殖與分化研究。

• 腫瘤細(xì)胞研究：模擬腫瘤組織低氧微環(huán)境，用于腫瘤耐藥、侵襲機(jī)制研究。

• 常規(guī)細(xì)胞培養(yǎng)：哺乳動(dòng)物貼壁細(xì)胞靜置培養(yǎng)、懸浮細(xì)胞振蕩培養(yǎng)（搭配 CS-LR）。

• 科研教學(xué)：高校、科研院所細(xì)胞生物學(xué)實(shí)驗(yàn)教學(xué)，直觀展示低氧培養(yǎng)原理。